首页 » 摄影 » 【】英特采用3D堆叠芯片解决方案

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利但是技术也存在带宽不足的问题。包括一个封装基板 、能够带来更高的带宽 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。被认为是HBM4的替代方案 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，一个可选的基础芯片、以及功率等方面取得平衡。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，以及一个堆叠的存储芯片。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。HBC提供了更快 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，成本相比HBM4会更低 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更高效、

从目标定位 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。价格、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，性能指标和商业化时间表来看，将计算与高速内存带宽结合 ，

虽然LPDDR更高效、

根据英特尔的描述 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。更具可扩展性的处理。过去几年里 ，后端金属互连层），HBM一直是AI加速器的标准配置，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，封装尺寸与HBM 4保持一致
 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，详细